ESD(静电释放)下半部分
ESD(静电释放)下半部分 1、顶层(layout)设计角度 [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-CjqITmNP-1601649828379)(https://i.loli.net/2020/10/02/EAyfRzVUawegG4h.png)] 以上...
发布时间:2023-08-22
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发布时间:2023-08-22
ESD 技术发展路线图 1. 简介 本文分为两个主要部分。第一个提供了对半导体器件未来 ESD 阈值的估计以及对 ESD 控制实践...一些示例是磁阻 (MR) 磁头(磁盘读/写磁头)、光电(发光二极管、激光器和光电二极管)、处
发布时间:2023-08-22
Ethernet 防雷及 ESD 保护设计 以太网是现有局域网中最通用的通讯协议标准,由 Xerox 公司创建并由 Xerox、Intel 和 DEC 公司联合开发的基带局域网规范。它包括标准的以太网(10Mbit/s)、快速以太网(100Mbit/s)和 ...
发布时间:2023-08-22
随着科学技术的发展,电力/电子产品日益多样化、复杂化,电路保护越来越受到关注,所应用的电路保护元件也越来越多,下面优恩介绍一下关于静电保护的ESD静电二极管。 ESD静电二极管(Electrostatic Disc...
发布时间:2023-08-22
一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典。但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫。先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Disch...
发布时间:2023-08-22
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge),应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。 因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和...
发布时间:2023-08-21
ESD是怎样产生的? (1)摩擦、剥离起电;——哪里有运动,哪里就有静电! ...感应起电是物体在静电场的作用下,发生了的电荷上再分布的现象。比如:一个设备加电工作的过程中,产生了一定的电磁场,外围的物体受...
发布时间:2022-10-22
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如:穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结...
发布时间:2022-10-01
ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元件,又称瞬态抑 制二极管阵列(TVS Array)。 ESD 由一个或多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局制 成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。 ESD...
发布时间:2022-10-01