ESD笔记(四)_击穿电压规律
规律总结: 纳米级MOS栅氧瞬态击穿电压一般性规律: 1.栅极氧化层越厚其相应瞬态击穿电压越高;...另外,在电路设计中需要注意的是,当射频电路中输入输出端需使用片上MOS电容作为滤波电容,或输入端MOS栅极
发布时间:2023-08-18
规律总结: 纳米级MOS栅氧瞬态击穿电压一般性规律: 1.栅极氧化层越厚其相应瞬态击穿电压越高;...另外,在电路设计中需要注意的是,当射频电路中输入输出端需使用片上MOS电容作为滤波电容,或输入端MOS栅极
发布时间:2023-08-18
以下用到的SPEC参数是Rohm的NMOS管RE1C001UN 热阻 定义:热阻指的是当有热量在物体上传输时,在物体两端温度差与热源的功率之间的比值,单位是℃/W或者是K/W。 半导体散热的三个途径,封装顶部到空气,封装底部到...
发布时间:2023-08-18
短路功耗:PMOS和NMOS同时导通所消耗的瞬态功耗,CMOS电路在‘0’和‘1’的转换过程中,P、N管会同时导通,产生一个由Vdd到Vss窄脉冲电流,由此引起功耗。 开关功耗:电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所...
发布时间:2023-08-18
本篇文章将总结SLM4054芯片的特征,及其外围电路等,小白总结...内部精确电阻分压器从该脚引出,控制输出电压。关断模式下,此电阻分压器从该脚断开连接。(4)VCC:电源输入正极。向充电器供电,电压范围4.5V至6.5V。
发布时间:2023-02-10
2.以下工艺器件中,电阻值的最大的是() A. AA B. Contact C. Poly D. VIA 3.当clock的周期是10ns,对于模块的input需要添加input delay,假设外部延迟是6ns,内部延迟是4ns,那模块的input delay需要设置为() A....
发布时间:2023-01-21
1、 热插拔概述 1.1历史 热插拔(hot-plugging或Hot Swap)即带电插拔,是指将设备板卡或模块等带电接入或移出正在工作的系统,而不影响系统工作的技术。我们日常最常用的应用就是USB热插拔。...
发布时间:2023-01-11
特斯拉的三个分布式区域控制器已基本实现了智能电气架构,但是你搞清楚了特斯拉怎么实现智能电气架构,就能指导大众和福特实现智能电气架构吗?...
发布时间:2022-10-01