介绍晶体及晶振并对石英晶振与MEMS硅晶振的工艺做区别对比
SiTime的MEMS硅晶体是水晶100%兼容,而没有任何改变电路,直接替换。
发布时间:2020-09-07
D7SX25E000028E在有源晶体电参数,具有快速启动的这个优点的活性晶体中,最大的启动时间仅10毫秒,上升/具有快速响应的不超过10ns的多的下降时间(10%VCC至90%VCC)能力,最大消耗
发布时间:2020-09-07
5.晶振的精度:晶振的精度单位是PPM,指晶体方面工作温度规划内的过失,多见的精度规划有±10ppm、±20ppm、±30ppm、±50ppm、±100ppm,逾越100PPM的晶体会有有些工作不正常
发布时间:2020-09-07
降额设计是使构成电子产品的石英晶振使用中所承受的应力(电应力、温度应力、机械应 力等)低于其设计的额定值,以达到延缓石英晶振的参数老化、增加工作寿命、提髙使用可靠性。
发布时间:2020-09-07
技术进步来自于这些精密电子元器件的变化,我们在追求成本控制的同时,也要考虑自己的产品需求。 晶体成本控制是芯片决定的一个重要因素,而晶体的尺寸越小,需要研磨出精确的晶片频率,缺陷率非常高,因此,在产品
发布时间:2020-09-07
一个是清洗流程中的超声波清洗,这个主要是超声波频率如果落在晶振的工作频率上就可能引起晶振的共振,导致晶振内部的晶片碎掉,出现不良。通常应用上需要注意的是让晶振工作在稳定状态,很多出现晶振失效的情况
发布时间:2020-09-07
4、封装尺寸,晶振的封装有很多,有贴片的、插进陶瓷、圆柱体的等,特别是现在的贴片晶振尺寸越来越小,可以满足不同的场合,在选用晶振时候需要考虑晶振尺寸对电路板的影响。 ? ?? (责任编辑:fqj)
发布时间:2020-09-07
变暖也被称为TCXO振荡器,英语俗称TCXO,是有源晶体。参数包括精度误差,频率偏差,电压大小,包大小等,16.368M,16.369M,16.384M,19.2M,26M,32M??,38.4M,4
发布时间:2020-09-07
一、原理图设计要点: (1)晶振电源去耦非常重要,建议加磁珠,去耦电容选两到三个,容值递减。 (2)时钟输出管脚加匹配,具体匹配阻值,可根据测试结果而定。 (3)预留的电容C1,容值
发布时间:2020-09-07