MOS管一些参数解释(转)
4 雪崩击穿特性参数这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.IAR :...
发布时间:2023-04-13
4 雪崩击穿特性参数这些参数是 MOSFET 在关断状态能承受过压能力的指标.如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态.EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击穿能量.IAR :...
发布时间:2023-04-13
六,整机设计及负反馈介绍负反馈放大器介绍:把放大器的输出信号的一部分反相位后再送到到输入端,叫做负反馈,加有负反馈的放大器称为负反馈放大器,亦称闭环放大器。反馈信号强度与输出信号电压成正比的,称电压负...
发布时间:2023-04-13
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路...
发布时间:2023-04-13
目录1. 复数(1) 极坐标形式下的计算(2) 复数三种表示之间的关系 1. 复数 (1) 极坐标形式下的计算 F1=∣F1∣∠θ1,F2=∣F2∣∠θ2 F_1 = |F_1|\angle \theta_1 , F_2 = |F_2|\angle \theta_2 F1=∣F1∣∠θ1...
发布时间:2023-04-13
《电路理论(黑皮版) 华中科技大学陈明辉第7章》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电路理论(黑皮版) 华中科技大学陈明辉第7章(80页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。1、7-1 第第7章章 一阶电路和二阶电路一阶电路和...
发布时间:2023-04-13
高频信号产生器主要用来供给各种电子测量仪器或其他电子设备的高频信号,如向电桥、测量线、谐振回路、天线等供给高频信号能量,以便测试其性能。高频信号发生器一般具有较大的输出功率,但输出信号的频率和幅度可能有...
发布时间:2023-04-13
二阶有源带通滤波器设计1、背景对于微弱的信号的处理方式一般是:放大和滤波,这个过程中就涉及到放大电路的选取、滤波器的选择以及偏置电路的设计。本例以实例的方式讲解并附带参数计算、仿真、实物测试三个环节。 ...
发布时间:2023-01-26
1、背景对于微弱的信号的处理方式一般是:放大和滤波,这个过程中就涉及到放大电路的选取、滤波器的选择以及偏置电路的设计。本例以实例的方式讲解并附带参数计算、仿真、实物测试三个环节。假设需要处理一个20mV的...
发布时间:2023-01-26
1、背景对于微弱的信号的处理方式一般是:放大和滤波,这个过程中就涉及到放大电路的选取、滤波器的选择以及偏置电路的设计。本例以实例的方式讲解并附带参数计算、仿真、实物测试三个环节。假设需要处理一个20mV的...
发布时间:2023-01-26
1、背景对于微弱的信号的处理方式一般是:放大和滤波,这个过程中就涉及到放大电路的选取、滤波器的选择以及偏置电路的设计。本例以实例的方式讲解并附带参数计算、仿真、实物测试三个环节。假设需要处理一个20mV的...
发布时间:2023-01-26