【干货收藏】 IGBT 的国产替代
什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单...
发布时间:2022-12-23
什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单...
发布时间:2022-12-23
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的...
发布时间:2022-11-09
PN结:从PN结说起 PN结是半导体的基础,掺杂是半导体的灵魂,先明确几点: 1、P型和N型半导体:本征半导体掺杂三价元素,根据高中学的化学键稳定性原理,会有“空穴”容易导电,因此,这里空穴是“多子”即...
发布时间:2022-11-09
大功率IGBT静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
发布时间:2022-11-07
第十六届中国半导体...期间,作为国内领先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表在大会上展示了国内率先自主研制的数字源表,同时公司副总经理王承受邀带来了《3kV/4kA IGBT静态参数测试系统方案》主题分享。...
发布时间:2022-11-07
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
发布时间:2022-11-06
齐纳二极管常用来产生稳定电压,可广泛用于需要将电压钳制或保持在某个限值以下的各种应用。齐纳二极管的另一重要应用领域是钳制不必要的过电压以保护 MOSFET。 齐纳效应和雪崩效应 电压不超过 5 V 时,在反向...
发布时间:2022-11-01