IPP200N15N3GXKSA1

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IPP200N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS 导通降低了40％, 品质因数 FOM降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS 导通。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。

IPP200N15N3 G, SP000680884

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优秀的开关性能

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环保型

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高效能

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高功率密度

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需要较少的并联

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占用极小的电路板空间

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易于设计