BSS123

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

公司的为N沟道逻辑电平增强型场效应, SOT-23封装. 这一产品设计以最小化通导电阻, 同时提供坚固耐用, 可靠并高速的开关性能, 因此BSS123适合低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制, 功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用.

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漏极至源极电压: 100V

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栅-源电压：±20V

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低通导电阻:1.2ohm, Vgs 10V

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连续漏电流:170mA

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最大功率耗散: 360mW

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工作结温范围: -55°C至150°C