LMBT3906LT1G
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集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 225mW/0.225W Description & Applications | PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURE Pb−Free Package May be Available 描述与应用 | PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特写 可能提供无铅封装
