LMBT6520LT1G

LMBT6520LT1G PNP三极管 -350V -500mA/-0.5A 40~200MHz 20~200 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2Z 高电压

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| -350V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 40~200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor High Voltage Transistor FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| PNP外延平面晶体管 高电压晶体管 特写 我们声明，产品符合RoHS要求的材料。