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IPD80R1K0CEATMA1

INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

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Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3


立创商城:
N沟道 800V 5.7A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800MinV 5.7A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  MOSFET, N-CH, 800V, 5.7A, TO-252-3 New


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