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IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3


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N沟道 800V 5.7A


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MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2


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晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V


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Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 800MinV 5.7A 3-Pin TO-252 T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  MOSFET, N-CH, 800V, 5.7A, TO-252-3 New


IPD80R1K0CEATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 5.7A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 785pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD80R1K0CEATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新 搜索库存
替代型号IPD80R1K0CEATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD80R1K0CEATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 800V 5.7A

当前型号

INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

当前型号

型号: IPD80R1K0CEBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 800V 5.7A

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DPAK N-CH 800V 5.7A

IPD80R1K0CEATMA1和IPD80R1K0CEBTMA1的区别