2SK2825

2SK2825 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 KK 高速开关/模拟开关/高输入阻抗

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 7Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications High input impedance 1.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.0 V Small package 描述与应用| 场效应的硅N沟道MOS类型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 1.5 V门驱动 低栅极阈值电压VTH =0.5〜1.0 V 小型封装