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BGB420

BGB420 高频NPN三极管 6GHZ SOT343 代码 MB

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 30MA 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 6GHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 3.5v 耗散功率PcPower Dissipation | 120MW/0.12W Description & Applications
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Active Biased Transistor. * For high gain low noise amplifiers. * Ideal for wideband applications, cellular telephones,cordless telephones, SAT-TV and high frequency oscillators. * Gma=17.5dB at 1.8GHz. * Small SOT343 package. * Current easy adjustable by an external resistor. * Open collector output. * Typical supply voltage: 1.4-3.3V. * SIEGET*-25 technology. 描述与应用 | * BGB420有源偏置晶体管。 *对于高增益低噪声放大器。 *非常适于宽带应用,移动电话,无绳电话,卫星电视和高频率的振荡器。MA =17.5分贝为1.8GHz。 * 小型SOT343封装。 * 电流容易通过外部电阻可调。 * 集电极开路输出。 * 典型电源电压:1.4-3.3V。 * SIEGET*-25技术。

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BGB420 Infineon 英飞凌
BGB420 E6327 Infineon 英飞凌
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