3SK253

3SK253 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1G 低噪声增益控制放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 18V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 25mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -0.1-1/0-1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low VDD Use : VDS = 3.5 V • Driving Battery • Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. f = 900 MHz • High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. f = 900 MHz • Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. • Automatically Mounting : Embossed Type Taping • Package : 4 Pins Mini Mold 描述与应用| MOS场效应晶体管 CATV调谐器射频放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4骏超级迷你模具 •低VDD使用方法（VDS=3.5 V） •驾驶电池 •低噪声系数：NF= 1.8 dB（典型值）。 （六=900兆赫） •高功率增益：：GPS=18.0 dB（典型值）。 （六=900兆赫） •适合用于UHF电视调谐器RF放大器。 •自动安装：压花类型大坪 •包装：4针脚小型模具