DN3135K1-G

MICROCHIP DN3135K1-G 芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R

是一款N沟道耗尽型垂直DMOS FET, 采用先进的垂直 DMOS 材质, 以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合技术器件具有双极的功率处理能力, 以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS特性, 无热失控, 和温度热引起的二次击穿。该器件非常适合需要低阈值电压, 高击穿电压, 高输入阻抗, 低输入电容, 快速开关速度的开关和放大应用。