DN3135K1-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
DN3135K1-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.072A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DN3135K1-G引脚图与封装图 
DN3135K1-G引脚图
DN3135K1-G封装图
DN3135K1-G封装焊盘图
在线购买DN3135K1-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DN3135K1-G | Microchip 微芯 | MICROCHIP DN3135K1-G 芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R | 搜索库存 |
替代型号DN3135K1-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DN3135K1-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-23 N-Channel 350V 0.072A | 当前型号 | MICROCHIP DN3135K1-G 芯片, 场效应管, MOSFET, 耗尽模式, 350V, 35Ω, 3-SOT-23, T/R | 当前型号 |
| 型号： DN3135K1 品牌： 超科 封装： SOT-23 N-Channel 72mA 35Ω | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 350V 0.072A 3Pin SOT-23 | DN3135K1-G和DN3135K1的区别 |