FDS4675-F085

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

得捷:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

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FDS4675-F085

欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R