CSD18502Q5B

40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET

此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。

RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸}2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd

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低热阻

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雪崩额定值

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逻辑电平

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无铅端子镀层

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符合 RoHS 标准

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无卤素

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小外形尺寸无引线 SON 5mm × 6mm 塑料封装