通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 26A
上升时间 6.8 ns
输入电容Ciss 5070pF @20VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD18502Q5B引脚图
CSD18502Q5B封装图
CSD18502Q5B封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18502Q5B | TI 德州仪器 | 40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18502Q5B 品牌： TI 德州仪器 封装： smd N-Channel 40V 26A | 当前型号 | 40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD18502Q5BT 品牌： 德州仪器 封装： SMALL N-CH 40V 26A | 功能相似 | 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、2.3mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | CSD18502Q5B和CSD18502Q5BT的区别 |
| 型号： CSD18512Q5B 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET | CSD18502Q5B和CSD18512Q5B的区别 |
