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IRLZ14PBF

VISHAY  IRLZ14PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V

The is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.

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Dynamic dV/dt rating
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175°C Operating temperature
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Fast switching
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Easy to parallel
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Simple drive requirement

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