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IRLZ14PBF

VISHAY  IRLZ14PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V

The is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.

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Dynamic dV/dt rating
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175°C Operating temperature
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Fast switching
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Easy to parallel
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Simple drive requirement
IRLZ14PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

额定功率 43 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 43 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRLZ14PBF引脚图与封装图
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