FQA6N90C-F109

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA6N90C_F109, 6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

立创商城:
N沟道 900V 6A

得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN

欧时:
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA6N90C_F109, 6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, 通孔

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube