MMUN2111LT1G
ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
是一款PNP数字, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 BRT包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
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- 简化电路设计
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- 减少电路板占用空间
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- 减少组件数量
ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
是一款PNP数字, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 BRT包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
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![]() | MMUN2111LT1G | ON Semiconductor 安森美 | |
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