RMLV0416EGSB-4S2#AA0

SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，RMLV 系列，

RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。

单 2.7V 至 3.6V 电源

存取时间：45ns（最大值）

相等存取和循环时间

常见数据输入和输出，带三态输出

所有输入和输出均兼容 TTL

适合于电池备份操作

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2

欧时:
Renesas Electronics RMLV0416EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray

安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256KWord x 16 45ns 44-Pin TSOP Tray

富昌:
Advanced LPSRAM, 4Mb x16, 3V, 45ns, I-Temp, 44-pin TSOP II

Verical:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 256K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray