RMLV0408EGSA-4S2#AA0

SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，RMLV 系列，

RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。

单 2.7V 至 3.6V 电源

存取时间：45ns（最大值）

相等存取和循环时间

常见数据输入和输出，带三态输出

所有输入和输出均兼容 TTL

适合于电池备份操作

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP

欧时:
Renesas Electronics RMLV0408EGSA-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x8, sTSOP, 45NS, Tray

艾睿:
IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP

Verical:
4MB ADVANCED LPSRAM

儒卓力:
**SRAM 512Kx8 45ns sTSOP32 **