BSS138W

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138W  晶体管, MOSFET, N沟道, 210 mA, 50 V, 1.17 ohm, 10 V, 1.3 V

The is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

.

High density cell design for extremely low RDS ON

欧时:
### 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SOT-323 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SOT-323 T/R

富昌:
BSS138 系列 50 V 3.5 Ohm N沟道 增强模式 场效应晶体管

Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.21A 3-Pin SOT-323 T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138W  MOSFET Transistor, N Channel, 210 mA, 50 V, 1.17 ohm, 10 V, 1.3 V

Win Source:
MOSFET N-CH 50V 0.21A SOT323