IR2101STRPBF

INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧和低侧配置。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:360mA 拉:210mA

欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier

贸泽:
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns

艾睿:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

Allied Electronics:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER; NONINVERTING INPUTS IN A 8-PIN DIP PACKAGE

安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -270÷130mA; 625mW

Verical:
Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R

Newark:
MOSFET Driver High Side and Low Side, 10V-20V supply, 360mA peak out, SOIC-8

儒卓力:
**High and Low Side Driver SO-8 **

Win Source:
IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC