2SD596

2SD596 NPN三极管Vcbo=30V Vceo=25v Ic= 700mA/0.7A ft=170MHz HFE=110~180 Vce=220mV/0.22V SOT-23/SC-59 marking/标记 DV1

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 700mA/0.7A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 170MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 250~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 220mV/0.22V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | micro package； high DC current gain，hFE：200 描述与应用 | 微封装; 高直流增益，HFE：200