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2SD596
NEC 日本电气 分立器件

2SD596 NPN三极管Vcbo=30V Vceo=25v Ic= 700mA/0.7A ft=170MHz HFE=110~180 Vce=220mV/0.22V SOT-23/SC-59 marking/标记 DV1

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 700mA/0.7A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 170MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 250~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 220mV/0.22V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | micro package; high DC current gain,hFE:200 描述与应用 | 微封装; 高直流增益,HFE:200


2SD596中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 30V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 25V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 700mA/0.7A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 170MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 110~180

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 220mV/0.22V

耗散功率PcPower Dissipation 200mW/0.2W

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2SD596引脚图与封装图
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2SD596 NEC 日本电气 2SD596 NPN三极管Vcbo=30V Vceo=25v Ic= 700mA/0.7A ft=170MHz HFE=110~180 Vce=220mV/0.22V SOT-23/SC-59 marking/标记 DV1 搜索库存