2SK2503TL

4V驱动N沟道MOS FET硅N沟道MOS FET特性硅N沟道MOS FET低导通电阻开关速度快宽SOA（安全工作区）4V驱动驱动电路可以很简单并行使用容易

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.11Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance Fast switching speed Wide SOA safe operating area 4V drive Drive circuits can be simple Parallel use is easy 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 4V驱动 驱动电路可以很简单 并行使用容易