CZT5551

NPN硅晶体管中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺，环氧树脂模压在一个表面贴装封装，高电压放大器应用设计制造。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. 描述与应用| NPN硅晶体管 中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺，环氧树脂模压在一个表面贴装封装，高电压放大器应用设计制造。