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CZT5551
Central Semiconductor 电子元器件分类

NPN硅晶体管中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,高电压放大器应用设计制造。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. 描述与应用| NPN硅晶体管 中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,高电压放大器应用设计制造。

CZT5551中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

CZT5551引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CZT5551 Central Semiconductor NPN硅晶体管中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,高电压放大器应用设计制造。 搜索库存
替代型号CZT5551
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CZT5551

品牌: Central Semiconductor

封装:

当前型号

NPN硅晶体管中央半导体CZT5551类型是NPN硅晶体管由外延平面工艺,环氧树脂模压在一个表面贴装封装,高电压放大器应用设计制造。

当前型号

型号: CXT5551

品牌: Central Semiconductor

封装:

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CXT5551 NPN三极管 180V 600mA/0.6a 100~300MHz 80~250 200mV/0.2V SOT-89 marking/标记 CXT5551 高电压放大器

CZT5551和CXT5551的区别

型号: CZT5551LEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

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SOT-223 NPN 160V 0.6A

CZT5551和CZT5551LEADFREE的区别

型号: CZT5551TRLEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

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