IRL60S216

IRL60S216 系列 60 V 298 A 1.95 mOhm 表面贴装 IR Mosfet - D2PAK

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V

适用于电池供电系统

应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器

欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60S216, 298 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

立创商城:
IRL60S216

贸泽:
MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg

e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R