PTFA043002E V1
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
RF Mosfet LDMOS 32V 1.55A 800MHz 16dB 100W H-30275-4
得捷:
IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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