PTFA192001F V4 R250
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2
得捷:
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
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