IPD80R900P7ATMA1

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.77 ohm, 10 V, 3 V

公司的800V CoolMOS™P7 N沟道功率MOSFET是一款高效MOSFET, 具有优秀的RDSon/封装. 这款MOSFET具有一流的效率和温度性能. 800V CoolMOS™P7产品系列专为反激式低功率SMPS应用而开发, 包括适配器和充电器, 照明, 音频SMPS, AUX和工业电源. 提供一流的性价比和出色的易用性, 使该产品成为目标应用的完美选择. 在基于反激式应用中, 与800V CoolMOS™C3相比, 该产品系列可提供0.1％至0.6％的效率增益, 2°C至8°C更低的MOSFET温度. 多种参数经过优化, 例如开关损耗 Eoss和栅极电荷 Qg降低50％, 输入电容 Ciss和输出电容 Coss降低, 提供绝佳的器件性能.

IPD80R900P7, SP001633484

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一流的FOM 品质因数 RDSon * Eoss 开关损耗

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一流的DPAK RDSon 280mohm

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实现更高功率密度设计, 节省BOM, 降低装配成本

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一流的V GSth 3V, 小VGSth变化±0.5V

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易于设计

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Class 1C HBM, class 2 HBM, class C3 CDM集成齐纳二极管静电保护

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减少静电产生的故障, 提高产量

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一流的质量和可靠性

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优化产品组合, 易于选择合适的零件, 以便对设计进行微调

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该产品系列具有易用性