IKW20N60H3

INFINEON  IKW20N60H3  单晶体管, IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

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IKW20N60H3

得捷:
IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

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Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V • 极低的 VCEsat • 低断开损耗 • 短尾线电流 • 低 EMI • 最大接点温度为 175°C### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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# INFINEON  IKW20N60H3  单晶体管, IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 600V 40A 1.95V TO247-3 **

DeviceMart:
IGBT 600V 40A 170W TO247-3