IR2133JPBF
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
欧时:
### MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
Chip1Stop:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 2W
Verical:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC Tube
Win Source:
IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC