TIG065E8-TL-H

400V,150A N沟道IGBT

IGBT 分立，On Semiconductor

绝缘栅级双极性 IGBT，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

### IGBT 分立，On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

欧时:
### IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

e络盟:
单晶体管, IGBT, 150 A, 4.2 V, 400 V, SOT-28FL, 8 引脚

艾睿:
Use the TIG065E8-TL-H IGBT transistor from ON Semiconductor as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single quad collector triple emitter configuration.

富昌:
TIG065E8 系列 400 V 150 A 表面贴装 N-沟道 IGBT - ECH-8

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 400V 8-Pin ECH T/R

Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 400V Automotive 8-Pin ECH T/R

力源芯城:
400V,150A N沟道IGBT

Win Source:
IGBT 400V 150A ECH8