CSD17551Q5A

TEXAS INSTRUMENTS  CSD17551Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。

RθJA=41.9°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，

2 盎司（厚度为 0.071mm）铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd

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低热阻

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额定雪崩能量

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无铅端子封装

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符合 RoHS 标准

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无卤素

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小外形尺寸 SON 5mm × 6mm 塑料封装