IHW20N120R3FKSA1

INFINEON  IHW20N120R3FKSA1  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

得捷:
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

欧时:
Infineon IHW20N120R3FKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

贸泽:
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin3+Tab TO-247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin3+Tab TO-247