IHW25N120R2FKSA1

Infineon IHW25N120R2FKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

得捷:
IGBT 1200V 50A 365W TO247-3

欧时:
Infineon IHW25N120R2FKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装

e络盟:
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 1200V 50A 365W TO247-3 / IGBT NPT 1200 V 50 A 365 W Through Hole PG-TO247-3-1