CSD17552Q3A

30V N 通道 MOSFET

本示例中使用的 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 48°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，

2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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超低 Qg 和 Qgd

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低热阻

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雪崩额定值

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无铅

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符合 RoHS 环保标准

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无卤素

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小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

## 应用范围

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网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

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针对控制场效应 FET 应用进行了优化