BFP650FH6327XTSA1

INFINEON  BFP650FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

欧时:
Infineon BFP650FH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=13 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装

得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

Newark:
# INFINEON  BFP650FH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110

Win Source:
TRANS RF NPN 42GHZ 4.5V 4TSFP