BFP640ESDH6327XTSA1

INFINEON  BFP640ESDH6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 46GHZ, 4.7V, SOT-343

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

欧时:
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4.1 V, HFE:110, 45 GHz, 4引脚 SOT-343封装

得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343

艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 4.1V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4.1V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Newark:
# INFINEON  BFP640ESDH6327XTSA1  RF BIP TRANSISTORS New

Win Source:
TRANS RF NPN 46GHZ 4.7V SOT343