IRF8714TRPBF

N沟道 30 V 2.5 W 8.1 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

N 通道功率 MOSFET，30V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

立创商城:
N沟道 30V 14A

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714TRPBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R

富昌:
单通道 N 沟道 30 V 2.5 W 8.1 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC