KST5551MTF

NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 180V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 160V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V • Collector Power Dissipation: PC max=350mW 描述与应用| 放大器 •集电极 - 发射极电压VCEO=160V •集电极耗散功率：PC（最大值）=350MW