IRLR8726PBF

INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道功率 MOSFET，30V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

立创商城:
N沟道 30V 86A

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MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

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单 N 沟道 30 V 75 W 15 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK

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TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 75W; DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin2+Tab DPAK Tube

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# INFINEON  IRLR8726PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

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**N-CH 30V 86A 5,8mOhm TO252 **

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK