IRLR8726PBF、IRLR8726TRPBF、STD17NF03LT4对比区别

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型号 IRLR8726PBF IRLR8726TRPBF STD17NF03LT4

描述 INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.004 Ω 0.004 Ω 0.05 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 75 W 30 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 17.0 A

上升时间 49 ns 49 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 75 W 30 W

下降时间 16 ns 16 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 75W (Tc) 30W (Tc)

额定功率 75 W - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 17.0 A

输入电容 - - 320 pF

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 7.49 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99