IGB30N60H3ATMA1

Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 3+Tab引脚 D2PAK TO-263封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3

欧时:
Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 3+Tab引脚 D2PAK TO-263封装

e络盟:
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 D2PAK, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-263

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-263

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3